Numero di Prodotto del Fabbricante:
RD3P07BBHTL1
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RD3P07BBHTL1-DG
Descrizione:
NCH 100V 70A, TO-252, POWER MOSF
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
2216 Pz Nuovo Originale Disponibile
13314492
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RD3P07BBHTL1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.7mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2410 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
89W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
RD3P07
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
846-RD3P07BBHTL1DKR
846-RD3P07BBHTL1CT
846-RD3P07BBHTL1TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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