Numero di Prodotto del Fabbricante:
RD3P050SNTL1
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RD3P050SNTL1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 5A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
9483 Pz Nuovo Originale Disponibile
13527161
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RD3P050SNTL1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
530 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
15W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
RD3P050
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
RD3P050SNTL1DKR
RD3P050SNTL1CT
RD3P050SNTL1TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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