RCD080N25TL
Numero di Prodotto del Fabbricante:

RCD080N25TL

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

RCD080N25TL-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 250V 8A CPT3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 250 V 8A (Ta) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3

Inventario:

5359 Pz Nuovo Originale Disponibile
13524229
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RCD080N25TL Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1440 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
CPT3
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
RCD080

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
RCD080N25TLCT
RCD080N25TLTR
RCD080N25TLDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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