R8008ANJGTL
Numero di Prodotto del Fabbricante:

R8008ANJGTL

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

R8008ANJGTL-DG

Descrizione:

NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount TO-263S

Inventario:

921 Pz Nuovo Originale Disponibile
12977947
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

R8008ANJGTL Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.03Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
195W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263S
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
R8008

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
846-R8008ANJGTLDKR
846-R8008ANJGTLTR
846-R8008ANJGTLCT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
taiwan-semiconductor

TQM070NB04CR RLG

MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU

infineon-technologies

IPT60R105CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF

genesic-semiconductor

G3R160MT12J

SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7

vishay-siliconix

IRFR014PBF-BE3

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK