Numero di Prodotto del Fabbricante:
R8008ANJGTL
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
R8008ANJGTL-DG
Descrizione:
NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount TO-263S
Inventario:
921 Pz Nuovo Originale Disponibile
12977947
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R8008ANJGTL Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.03Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
195W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263S
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
R8008
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
846-R8008ANJGTLDKR
846-R8008ANJGTLTR
846-R8008ANJGTLCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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