R8007AND3FRATL
Numero di Prodotto del Fabbricante:

R8007AND3FRATL

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

R8007AND3FRATL-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 800V 7A TO252
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventario:

4934 Pz Nuovo Originale Disponibile
12945904
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R8007AND3FRATL Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
850 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
140W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
R8007

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
846-R8007AND3FRATLCT
846-R8007AND3FRATLTR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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