Numero di Prodotto del Fabbricante:
R6520ENZ4C13
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
R6520ENZ4C13-DG
Descrizione:
650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247G
Inventario:
1153 Pz Nuovo Originale Disponibile
12996245
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
R6520ENZ4C13 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
205mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 630µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
231W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247G
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
R6520
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
846-R6520ENZ4C13
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
R6535ENZ4C13
650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
MCAC75N06YB-TP
MOSFET N-CH DFN5060
