Numero di Prodotto del Fabbricante:
R6509ENJTL
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
R6509ENJTL-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventario:
88 Pz Nuovo Originale Disponibile
12851419
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R6509ENJTL Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
585mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 230µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
430 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
94W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
LPTS
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
R6509
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
846-R6509ENJTLDKR
846-R6509ENJTLTR
846-R6509ENJTLCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXTA8N65X2
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
90
NUMERO DI PEZZO
IXTA8N65X2-DG
PREZZO UNITARIO
1.41
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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