Numero di Prodotto del Fabbricante:
R6061YNXC7G
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
R6061YNXC7G-DG
Descrizione:
NCH 600V 26A, TO-220FM, POWER MO
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventario:
1000 Pz Nuovo Originale Disponibile
13238773
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R6061YNXC7G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 13A, 12V
vgs(th) (massimo) @ id
6V @ 3.5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3700 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
100W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220FM
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
846-R6061YNXC7G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Certificazione DIGI
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