Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Francia
Spagna
Turchia
Moldavia
Lituania
Norvegia
Germania
Portogallo
Slovacchia
Italia
Finlandia
Russo
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Serbia
Belarus
Paesi Bassi
Svezia
Montenegro
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Romania
Austria
Belgio
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Repubblica Democratica del Congo
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Angola
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
R6046FNZ1C9
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
R6046FNZ1C9-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 46A TO247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 46A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
278 Pz Nuovo Originale Disponibile
12823329
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
R6046FNZ1C9 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
98mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6230 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
120W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
R6046FNZ1
Scheda Dati HTML
R6046FNZ1C9-DG
Schede dati
R6046FNZ1C9
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
450
Altri nomi
846-R6046FNZ1C9
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TK31N60X,S1F
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
20
NUMERO DI PEZZO
TK31N60X,S1F-DG
PREZZO UNITARIO
2.57
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STW48N60DM2
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
590
NUMERO DI PEZZO
STW48N60DM2-DG
PREZZO UNITARIO
3.88
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IXFL82N60P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
25
NUMERO DI PEZZO
IXFL82N60P-DG
PREZZO UNITARIO
24.34
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IXFX64N60P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
911
NUMERO DI PEZZO
IXFX64N60P-DG
PREZZO UNITARIO
13.25
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
R6050JNZ4C13
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
545
NUMERO DI PEZZO
R6050JNZ4C13-DG
PREZZO UNITARIO
11.16
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
CPC3708CTR
MOSFET N-CH 350V 5MA SOT89
IPU80R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
IRF6644TRPBF
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET