Numero di Prodotto del Fabbricante:
R6022YNZ4C13
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
R6022YNZ4C13-DG
Descrizione:
NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-247G
Inventario:
600 Pz Nuovo Originale Disponibile
13001130
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R6022YNZ4C13 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 6.5A, 12V
vgs(th) (massimo) @ id
6V @ 1.8mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1400 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
205W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247G
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
R6022
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
846-R6022YNZ4C13
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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