Numero di Prodotto del Fabbricante:
R6009KNX
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
R6009KNX-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventario:
13526049
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R6009KNX Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
540 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
48W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220FM
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
R6009
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
R6009KNXCT
R6009KNXDKR
R6009KNXCT-ND
R6009KNXCTINACTIVE
R6009KNXDKR-ND
R6009KNXDKRINACTIVE
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TK560A65Y,S4X
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
5
NUMERO DI PEZZO
TK560A65Y,S4X-DG
PREZZO UNITARIO
0.60
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IPAW60R600P7SXKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
1
NUMERO DI PEZZO
IPAW60R600P7SXKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.94
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
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