QS8M51TR

Numero di Prodotto del Fabbricante:

QS8M51TR

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

QS8M51TR-DG

Descrizione:

MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

Descrizione Dettagliata:

Mosfet Array 100V 2A, 1.5A 1.5W Surface Mount TSMT8

Inventario:

35316 Pz Nuovo Originale Disponibile

13525173

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QS8M51TR Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET

Produttore

ROHM Semiconductor

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Configurazione

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione da drain a source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

2A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

325mOhm @ 2A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

2.5V @ 1mA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

290pF @ 25V, 950pF @ 25V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

TSMT8

Numero di prodotto di base

QS8M51

Scheda dati e documenti

Documenti di affidabilità

TSMT8 MOS Reliability Test

Risorse di progettazione

TSMT8D Inner Structure

Schede tecniche

QS8M51TR TSMT8 TR Taping Spec

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

3,000

Altri nomi

QS8M51DKR

QS8M51CT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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