Numero di Prodotto del Fabbricante:
IMH2AT110
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
IMH2AT110-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Inventario:
13524163
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IMH2AT110 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
47kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
68 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
300mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitore
SMT6
Numero di prodotto di base
IMH2
Scheda dati e documenti
Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
IMH2AT110TR
IMH2AT110DKR
IMH2AT110CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RN4604(TE85L,F)
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
1828
NUMERO DI PEZZO
RN4604(TE85L,F)-DG
PREZZO UNITARIO
0.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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