IMB3AT110
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IMB3AT110

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

IMB3AT110-DG

Descrizione:

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6

Inventario:

RFQ Online
13525400
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IMB3AT110 Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
4.7kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 2.5mA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
-
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
300mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitore
SMT6
Numero di prodotto di base
IMB3

Scheda dati e documenti

Documenti di affidabilità
SMT6 DTRTG Reliability Test
Risorse di progettazione
SMT6 Inner Structure
Schede tecniche
IMB3AT110 SMT6 T110 Taping Spec

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
IMB3AT110-ND
846-IMB3AT110DKR
846-IMB3AT110CT
846-IMB3AT110TR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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