Numero di Prodotto del Fabbricante:
HS8K1TB
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
HS8K1TB-DG
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 10A/11A HSML
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HSML3030L10
Inventario:
10480 Pz Nuovo Originale Disponibile
13524957
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HS8K1TB Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Ta), 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
348pF @ 15V, 429pF @ 15V
Potenza - Max
2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore
HSML3030L10
Numero di prodotto di base
HS8K1
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
HS8K1TBCT
HS8K1TBDKR
HS8K1TBTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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