Numero di Prodotto del Fabbricante:
HP8S36TB
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
HP8S36TB-DG
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 30V 27A, 80A 29W Surface Mount 8-HSOP
Inventario:
13525387
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HP8S36TB Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tecnologia
-
Configurazione
2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
27A, 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6100pF @ 15V
Potenza - Max
29W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore
8-HSOP
Numero di prodotto di base
HP8S36
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
HP8S36TBDKR
HP8S36TBTR
HP8S36TBCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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