HP8M31TB1

Numero di Prodotto del Fabbricante:

HP8M31TB1

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

HP8M31TB1-DG

Descrizione:

MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP

Descrizione Dettagliata:

Mosfet Array 60V 8.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP

Inventario:

1 Pz Nuovo Originale Disponibile

13524089

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HP8M31TB1 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET

Produttore

ROHM Semiconductor

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Configurazione

N and P-Channel

Funzione FET

-

Tensione da drain a source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

8.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

3V @ 1mA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

470pF @ 30V, 2300pF @ 30V

Potenza - Max

3W (Ta)

Temperatura

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-HSOP

Numero di prodotto di base

HP8M31

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

2,500

Altri nomi

HP8M31TB1DKR

HP8M31TB1TR

HP8M31TB1CT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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