Numero di Prodotto del Fabbricante:
ES6U3T2CR
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
ES6U3T2CR-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Inventario:
7960 Pz Nuovo Originale Disponibile
13080395
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ES6U3T2CR Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
-
Serie
-
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
1.4 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
70 pF @ 10 V
Funzione FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)
800mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
6-WEMT
Pacchetto / Custodia
6-SMD, Flat Leads
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
ES6U3T2CRDKR
ES6U3T2CRCT
846-ES6U3T2CRTR
ES6U3T2CRTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
US5U2TR
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
US5U2TR-DG
PREZZO UNITARIO
0.19
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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