Numero di Prodotto del Fabbricante:
EMY1T2R
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
EMY1T2R-DG
Descrizione:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5EMT
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventario:
13520711
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EMY1T2R Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN, PNP (Emitter Coupled)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
150mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
120 @ 1mA, 6V
Potenza - Max
150mW
Frequenza - Transizione
180MHz, 140MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT5
Numero di prodotto di base
EMY1T2
Scheda dati e documenti
Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
EMY1T2RCT
EMY1T2RTR
EMY1T2RDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
HN4B01JE(TE85L,F)
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
3440
NUMERO DI PEZZO
HN4B01JE(TE85L,F)-DG
PREZZO UNITARIO
0.04
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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