EMH53T2R
Numero di Prodotto del Fabbricante:

EMH53T2R

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

EMH53T2R-DG

Descrizione:

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

Inventario:

7923 Pz Nuovo Originale Disponibile
12989795
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EMH53T2R Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
4.7kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
150mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT6
Numero di prodotto di base
EMH53

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
EMH53T2R

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
846-EMH53T2RCT
846-EMH53T2RTR
846-EMH53T2RDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
PEMD6,115
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
4000
NUMERO DI PEZZO
PEMD6,115-DG
PREZZO UNITARIO
0.06
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
RN1910FE,LF(CT
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
4750
NUMERO DI PEZZO
RN1910FE,LF(CT-DG
PREZZO UNITARIO
0.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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