EMH4FHAT2R
Numero di Prodotto del Fabbricante:

EMH4FHAT2R

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

EMH4FHAT2R-DG

Descrizione:

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

Inventario:

RFQ Online
12921941
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EMH4FHAT2R Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
150mW
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT6
Numero di prodotto di base
EMH4FHAT2

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
EMH4FHA

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
846-EMH4FHAT2RTR
846-EMH4FHAT2RDKR
846-EMH4FHAT2RCT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
PEMH4,115
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
4000
NUMERO DI PEZZO
PEMH4,115-DG
PREZZO UNITARIO
0.07
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
NSBC114TDXV6T1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
6880
NUMERO DI PEZZO
NSBC114TDXV6T1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
certification_01
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cr
certification_015
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