Numero di Prodotto del Fabbricante:
EMD9FHAT2R
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
EMD9FHAT2R-DG
Descrizione:
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventario:
13522673
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EMD9FHAT2R Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
-
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
68 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
-
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
150mW
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT6
Numero di prodotto di base
EMD9FHAT2
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
EMD9FHAT2RCT
EMD9FHAT2RDKR
EMD9FHAT2RTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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