Numero di Prodotto del Fabbricante:
EMB3FHAT2R
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
EMB3FHAT2R-DG
Descrizione:
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventario:
7994 Pz Nuovo Originale Disponibile
12966507
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EMB3FHAT2R Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo di transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
4.7kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
150mW
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT6
Numero di prodotto di base
EMB3FHAT2
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
846-EMB3FHAT2RTR
846-EMB3FHAT2RDKR
846-EMB3FHAT2RCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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