Numero di Prodotto del Fabbricante:
EMB18T2R
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
EMB18T2R-DG
Descrizione:
TRANS DIGITAL BJT PNP 50V 100MA
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventario:
12995534
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EMB18T2R Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
22kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
150mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT6
Numero di prodotto di base
EMB18
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
846-EMB18T2RTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
Certificazione DIGI
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