Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Francia
Spagna
Turchia
Moldavia
Lituania
Norvegia
Germania
Portogallo
Slovacchia
Italia
Finlandia
Russo
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Serbia
Belarus
Paesi Bassi
Svezia
Montenegro
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Romania
Austria
Belgio
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Repubblica Democratica del Congo
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Angola
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
EM6K7T2CR
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
EM6K7T2CR-DG
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 20V 200mA (Ta) 150mW Surface Mount EMT6
Inventario:
2941 Pz Nuovo Originale Disponibile
13520888
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
EM6K7T2CR Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
25pF @ 10V
Potenza - Max
150mW
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT6
Numero di prodotto di base
EM6K7
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
EM6K7T2CR
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
EM6K7T2CRTR
EM6K7T2CRCT
EM6K7T2CRDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
PJX8828_R1_00001
FABBRICANTE
Panjit International Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
2457
NUMERO DI PEZZO
PJX8828_R1_00001-DG
PREZZO UNITARIO
0.06
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
BSM300D12P2E001
SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE
EM6K7T2R
MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
EM6M2T2R
MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
EM6K33T2R
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6