Numero di Prodotto del Fabbricante:
DTD513ZMGT2L
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
DTD513ZMGT2L-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 12 V 500 mA 260 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Inventario:
10 Pz Nuovo Originale Disponibile
13523874
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DTD513ZMGT2L Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
500 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
12 V
Resistore - Base (R1)
1 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
140 @ 100mA, 2V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 5mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
260 MHz
Potenza - Max
150 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore
VMT3
Numero di prodotto di base
DTD513
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
DTD513ZMGT2LTR
DTD513ZMGT2LCT
DTD513ZMGT2LDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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