DTD114GCT116
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DTD114GCT116

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

DTD114GCT116-DG

Descrizione:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SST3

Inventario:

80 Pz Nuovo Originale Disponibile
13522643
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DTD114GCT116 Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
500 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
56 @ 50mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
200 MHz
Potenza - Max
200 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
SST3
Numero di prodotto di base
DTD114

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
DTD114GCT116 SOT-23 T116 Taping Spec

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DTD114GCT116DKR
DTD114GCMGT116
DTD114GCT116TR
DTD114GCT116CT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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