DTC123YUAT106
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DTC123YUAT106

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

DTC123YUAT106-DG

Descrizione:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3

Inventario:

3064 Pz Nuovo Originale Disponibile
13524717
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DTC123YUAT106 Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
33 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
250 MHz
Potenza - Max
200 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore
UMT3
Numero di prodotto di base
DTC123

Scheda dati e documenti

Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DTC123YUAT106CT
DTC123YUAT106DKR
DTC123YUAT106-ND
DTC123YUAT106TR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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