Numero di Prodotto del Fabbricante:
DTC123EMT2L
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
DTC123EMT2L-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Inventario:
1495 Pz Nuovo Originale Disponibile
13522086
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DTC123EMT2L Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
2.2 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
20 @ 20mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
250 MHz
Potenza - Max
150 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore
VMT3
Numero di prodotto di base
DTC123
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
DTC123EMT2LTR
DTC123EMT2LDKR
DTC123EMT2LCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DTC123EM3T5G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
DTC123EM3T5G-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
PDTC123EM,315
FABBRICANTE
NXP Semiconductors
QUANTITÀ DISPONIBILE
25000
NUMERO DI PEZZO
PDTC123EM,315-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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