Numero di Prodotto del Fabbricante:
DTC115GU3T106
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
DTC115GU3T106-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Inventario:
5970 Pz Nuovo Originale Disponibile
13522866
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DTC115GU3T106 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistenza - Base emettitore (R2)
100 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
82 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250 MHz
Potenza - Max
200 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore
UMT3
Numero di prodotto di base
DTC115
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DTC115GU3T106DKR
DTC115GU3T106TR
DTC115GU3T106CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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