Numero di Prodotto del Fabbricante:
DTC115EU3HZGT106
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
DTC115EU3HZGT106-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Inventario:
2865 Pz Nuovo Originale Disponibile
13522616
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DTC115EU3HZGT106 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
100 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
100 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
82 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
250 MHz
Potenza - Max
200 mW
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore
UMT3
Numero di prodotto di base
DTC115
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DTC115EU3HZGT106TR
DTC115EU3HZGT106CT
DTC115EU3HZGT106DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NSVMUN5236T1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
NSVMUN5236T1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
NUMERO DI PARTE
DDTC115EUA-7-F
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
DDTC115EUA-7-F-DG
PREZZO UNITARIO
0.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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