Numero di Prodotto del Fabbricante:
DTC114EMFHAT2L
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
DTC114EMFHAT2L-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Inventario:
12939492
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DTC114EMFHAT2L Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
10 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
30 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
250 MHz
Potenza - Max
150 mW
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore
VMT3
Numero di prodotto di base
DTC114
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
846-DTC114EMFHAT2LCT
846-DTC114EMFHAT2LTR
846-DTC114EMFHAT2LDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RN1102MFV,L3F
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
13398
NUMERO DI PEZZO
RN1102MFV,L3F-DG
PREZZO UNITARIO
0.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
NUMERO DI PARTE
DTC114EM3T5G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
20591
NUMERO DI PEZZO
DTC114EM3T5G-DG
PREZZO UNITARIO
0.04
TIPO DI SOSTITUZIONE
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