Numero di Prodotto del Fabbricante:
DTC043TMT2L
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
DTC043TMT2L-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Inventario:
2536 Pz Nuovo Originale Disponibile
13523207
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DTC043TMT2L Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
4.7 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250 MHz
Potenza - Max
150 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore
VMT3
Numero di prodotto di base
DTC043
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
DTC043TMT2LDKR
DTC043TMT2LTR
DTC043TMT2LCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RN1110MFV,L3F
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
8000
NUMERO DI PEZZO
RN1110MFV,L3F-DG
PREZZO UNITARIO
0.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
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