Numero di Prodotto del Fabbricante:
DTB713ZMT2L
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
DTB713ZMT2L-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 30V 0.2A VMT3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30 V 200 mA 260 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Inventario:
13522911
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DTB713ZMT2L Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
200 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
30 V
Resistore - Base (R1)
1 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
140 @ 100mA, 2V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
260 MHz
Potenza - Max
150 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore
VMT3
Numero di prodotto di base
DTB713
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
DTB713ZMT2LTR
DTB713ZMT2LDKR
DTB713ZMT2LCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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