Numero di Prodotto del Fabbricante:
DTA124XU3HZGT106
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
DTA124XU3HZGT106-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Inventario:
609 Pz Nuovo Originale Disponibile
13521676
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DTA124XU3HZGT106 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
22 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
68 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
250 MHz
Potenza - Max
200 mW
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore
UMT3
Numero di prodotto di base
DTA124
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DTA124XU3HZGT106TR
DTA124XU3HZGT106CT
DTA124XU3HZGT106DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RN2308(TE85L,F)
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
2841
NUMERO DI PEZZO
RN2308(TE85L,F)-DG
PREZZO UNITARIO
0.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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