Numero di Prodotto del Fabbricante:
DTA123JEBHZGTL
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
DTA123JEBHZGTL-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 0.1A EMT3F
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Inventario:
1850 Pz Nuovo Originale Disponibile
13521948
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DTA123JEBHZGTL Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Resistore - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
-
Frequenza - Transizione
250 MHz
Potenza - Max
150 mW
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-89, SOT-490
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT3F (SOT-416FL)
Numero di prodotto di base
DTA123
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DTA123JEBHZGTLTR
DTA123JEBHZGTLDKR
DTA123JEBHZGTLCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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