Numero di Prodotto del Fabbricante:
DTA115EMT2L
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
DTA115EMT2L-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 20 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Inventario:
13522880
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DTA115EMT2L Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
20 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
100 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
100 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
82 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
250 MHz
Potenza - Max
150 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore
VMT3
Numero di prodotto di base
DTA115
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
DTA115EMT2LDKR
DTA115EMT2LCT
DTA115EMT2LTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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