Numero di Prodotto del Fabbricante:
DTA114TEBTL
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
DTA114TEBTL-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3
Inventario:
13524546
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
DTA114TEBTL Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250 MHz
Potenza - Max
150 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-75, SOT-416
Pacchetto dispositivo fornitore
EMT3
Numero di prodotto di base
DTA114
Scheda dati e documenti
Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RN2111,LF(CT
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
3000
NUMERO DI PEZZO
RN2111,LF(CT-DG
PREZZO UNITARIO
0.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
DTA143ECAHZGT116
TRANS PREBIAS PNP 0.1A SST3
DTC115TETL
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
DTC143EUBTL
TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
