Numero di Prodotto del Fabbricante:
DTA114EBT2L
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
DTA114EBT2L-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMN3
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMN3
Inventario:
12996861
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DTA114EBT2L Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
10 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
30 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
250 MHz
Potenza - Max
150 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-923F
Pacchetto dispositivo fornitore
VMN3
Numero di prodotto di base
DTA114
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
846-DTA114EBT2LTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
Certificazione DIGI
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