Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSM300C12P3E301
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
BSM300C12P3E301-DG
Descrizione:
SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1200 V 300A (Tc) 1360W (Tc) Module
Inventario:
13270349
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BSM300C12P3E301 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (massimo) @ id
5.6V @ 80mA
Vgs (massimo)
+22V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1500 pF @ 10 V
Funzione FET
Standard
Dissipazione di potenza (max)
1360W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto dispositivo fornitore
Module
Pacchetto / Custodia
Module
Numero di prodotto di base
BSM300
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4
Altri nomi
846-BSM300C12P3E301
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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