Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSM180C12P2E202
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
BSM180C12P2E202-DG
Descrizione:
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) Chassis Mount Module
Inventario:
4 Pz Nuovo Originale Disponibile
13521329
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
BSM180C12P2E202 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tray
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
204A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 35.2mA
Vgs (massimo)
+22V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
20000 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1360W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
Module
Pacchetto / Custodia
Module
Numero di prodotto di base
BSM180
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
2SK3018T106
MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
2SK3019TL
MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
2SK2094TL
MOSFET N-CH 60V 2A CPT3
