Numero di Prodotto del Fabbricante:
BR25G512FJ-3GE2
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
BR25G512FJ-3GE2-DG
Descrizione:
IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOPJ
Descrizione Dettagliata:
EEPROM Memory IC 512Kbit SPI 10 MHz 8-SOP-J
Inventario:
6441 Pz Nuovo Originale Disponibile
4030295
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BR25G512FJ-3GE2 Specifiche Tecniche
Categoria
Memoria, Memoria
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
DiGi-Electronics programmabile
Not Verified
Tipo di memoria
Non-Volatile
Formato di memoria
EEPROM
Tecnologia
EEPROM
Dimensione della memoria
512Kbit
Organizzazione della memoria
64K x 8
Interfaccia di memoria
SPI
Frequenza di clock
10 MHz
Scrivi tempo di ciclo - Word, pagina
5ms
Tensione - Alimentazione
1.8V ~ 5.5V
Temperatura
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOP-J
Numero di prodotto di base
BR25G512
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
BR25G512FJ-3GE2CT
BR25G512FJ-3GE2DKR
BR25G512FJ-3GE2TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
3A991B1B2
HTSUS
8542.32.0051
Certificazione DIGI
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