Numero di Prodotto del Fabbricante:
NP36P04SDG-E1-AY
Product Overview
Produttore:
Renesas Electronics Corporation
Numero di Parte:
NP36P04SDG-E1-AY-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 40 V 36A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Inventario:
11306 Pz Nuovo Originale Disponibile
12860283
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
NP36P04SDG-E1-AY Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Renesas Electronics Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2800 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.2W (Ta), 56W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252 (MP-3ZK)
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
NP36P04
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
NP36P04SDG-E1-AYDKR
NP36P04SDG-E1-AYTR
559-NP36P04SDG-E1-AYCT
NP36P04SDG-E1-AYDKR-DG
NP36P04SDG-E1-AYTR-DG
NP36P04SDG-E1-AYCT
NP36P04SDG-E1-AYCT-DG
NP36P04SDG-E1-AY-DG
NP36P04SDGE1AY
-1161-NP36P04SDG-E1-AYCT
559-NP36P04SDG-E1-AYDKR
559-NP36P04SDG-E1-AYTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
NP109N055PUJ-E1B-AY
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
HAT2096H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
HS54095TZ-E
MOSFET N-CH 600V 200MA TO92-3
