Numero di Prodotto del Fabbricante:
PJQ4442P_R2_00001
Product Overview
Produttore:
Panjit International Inc.
Numero di Parte:
PJQ4442P_R2_00001-DG
Descrizione:
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 12.7A (Ta), 50A (Tc) 2W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount DFN3333-8
Inventario:
12970285
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
PJQ4442P_R2_00001 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
PANJIT
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12.7A (Ta), 50A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1759 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DFN3333-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
PJQ4442
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
3757-PJQ4442P_R2_00001TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
AOB125A60L
MOSFET N-CH 600V 28A TO263
PJL9428_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
BUK9Y6R5-40HX
MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
