Numero di Prodotto del Fabbricante:
PJQ4411P_R2_00001
Product Overview
Produttore:
Panjit International Inc.
Numero di Parte:
PJQ4411P_R2_00001-DG
Descrizione:
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 13A (Ta), 60A (Tc) 2W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount DFN3333-8
Inventario:
4934 Pz Nuovo Originale Disponibile
12973445
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
PJQ4411P_R2_00001 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
PANJIT
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
13A (Ta), 60A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
46.8 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4659 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DFN3333-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
PJQ4411
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
3757-PJQ4411P_R2_00001TR
3757-PJQ4411P_R2_00001DKR
3757-PJQ4411P_R2_00001CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
PJD4NA70_L2_00001
700V N-CHANNEL MOSFET
PJC7410_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
2SJ598-ZK-E1-AZ
MP-3ZK
