Numero di Prodotto del Fabbricante:
PJP2NA70_T0_00001
Product Overview
Produttore:
Panjit International Inc.
Numero di Parte:
PJP2NA70_T0_00001-DG
Descrizione:
700V N-CHANNEL MOSFET
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 700 V 2A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12971120
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PJP2NA70_T0_00001 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
PANJIT
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
700 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
260 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
PJP2
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
3757-PJP2NA70_T0_00001
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SIHP5N80AE-GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
1010
NUMERO DI PEZZO
SIHP5N80AE-GE3-DG
PREZZO UNITARIO
0.52
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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