PJP10NA60_T0_00001
Numero di Prodotto del Fabbricante:

PJP10NA60_T0_00001

Product Overview

Produttore:

Panjit International Inc.

Numero di Parte:

PJP10NA60_T0_00001-DG

Descrizione:

600V N-CHANNEL MOSFET
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 10A (Ta) 156W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

RFQ Online
12972571
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PJP10NA60_T0_00001 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
PANJIT
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1192 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
156W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
PJP10

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
PJx10NA60

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
3757-PJP10NA60_T0_00001

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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