Numero di Prodotto del Fabbricante:
PJMD990N65EC_L2_00001
Product Overview
Produttore:
Panjit International Inc.
Numero di Parte:
PJMD990N65EC_L2_00001-DG
Descrizione:
650V SUPER JUNCITON MOSFET
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 4.7A (Tc) 47.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
6000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12974611
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
PJMD990N65EC_L2_00001 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
PANJIT
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
990mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
306 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
47.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
PJMD990
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
6,000
Altri nomi
3757-PJMD990N65EC_L2_00001CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
PJQ4465AP_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IV1Q12160T4
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
NVMFS005N10MCLT1G
PTNG 100V LL SO8FL
