PJD8NA50_L2_00001
Numero di Prodotto del Fabbricante:

PJD8NA50_L2_00001

Product Overview

Produttore:

Panjit International Inc.

Numero di Parte:

PJD8NA50_L2_00001-DG

Descrizione:

500V N-CHANNEL MOSFET
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 8A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventario:

12974776
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PJD8NA50_L2_00001 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
PANJIT
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16.2 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
826 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
130W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
PJD8N

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
3757-PJD8NA50_L2_00001DKR
3757-PJD8NA50_L2_00001TR
3757-PJD8NA50_L2_00001CT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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