PJD14P10A_L2_00001
Numero di Prodotto del Fabbricante:

PJD14P10A_L2_00001

Product Overview

Produttore:

Panjit International Inc.

Numero di Parte:

PJD14P10A_L2_00001-DG

Descrizione:

100V P-CHANNEL MOSFET
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 100 V 2.5A (Ta), 14A (Tc) 2W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventario:

4379 Pz Nuovo Originale Disponibile
12972622
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

PJD14P10A_L2_00001 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
PANJIT
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.5A (Ta), 14A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
40.7 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2298 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
PJD14

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
3757-PJD14P10A_L2_00001TR
3757-PJD14P10A_L2_00001CT
3757-PJD14P10A_L2_00001DKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
panjit

PJQ2407_R1_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

microchip-technology

MSC035SMA170B

MOSFET SIC 1700 V 45 MOHM TO-247

panjit

PJD80N04-AU_L2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJQ4401P-AU_R2_000A1

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M